图1 Nothing Phone 3a
Nothing 于2025年上半年发布的Nothing Phone (3a) 系列手机,延续其品牌标志性透明玻璃背板与Glyph灯条,支持多场景光效交互。
AI是本次升级重点,深度整合Android 15与Google Gemini助手。机身侧边新增“Essential Key”按键,可一键唤出AI智能界面,自动整理图片、音频与文本内容;
屏幕方面,配备6.7英寸AMOLED高刷屏,显示流畅,色彩鲜明,为AI视觉交互提供良好基础;
续航上,5000mAh电池与45W快充保障全天续航。
图2-3 Nothing Phone 3a
其中多款艾为芯助力Nothing Phone 3a,为用户打造出更具趣味性、更沉浸感、更高效率的日常使用场景。
艾为芯赋能Nothing Phone (3a)系列
Nothing Phone (3a)系列采用多颗艾为产品,按照OLED显示电源芯片、功率MOSFET、呼吸灯驱动、蜂窝通信低噪声放大器、GNSS低噪声放大器等模块分别介绍如下:
艾为OLED Power PMIC
Nothing Phone (3a) 系列手机在影像与显示系统中搭载艾为OLED显示电源芯片,驱动超高刷新率AMOLED屏幕,带来流畅细腻的视觉体验。这款专为AMOLED显示面板设计的电源芯片,以稳定高效的供电能力,为整块屏幕奠定了扎实的硬件基础,为用户提供高电流能力、高可靠的OLED Power方案。
精准电压调控:输入电压范围覆盖 2.5V - 5.0V,支持 ESWIRE、ASWIRE 多通道可编程输出。其中,ESWIRE 可将输出电压在 4.6V 至 5V、-6.6V至-1V范围内以 100mV 步进精准调节,ASWIRE 可实现 6.9V 至 7.9V 的电压输出调节
高效稳定供电:ELVDD 与 ELVSS 最大输出电流依输入电压与输出电压组合,保持输出电压稳定,解决设备供电不足或电压波动导致的性能下降问题,为设备稳定运行提供充足动力
安全紧凑设计:内置短路保护功能,实时监测电路状态,当发生短路时迅速切断输出,避免设备因短路受损;采用超紧凑封装,节省电路板空间,便于设备轻薄化设计
图4 艾为OLED Power PMIC系列典型应用图
艾为功率MOSFET
续航方面,电池包搭载艾为锂保MOSFET芯片,是实现45W安全稳定快充与保障电池长期耐久度的关键,该器件作为锂保核心元件,可精准管控锂电池充放电与过流保护,凭借高耐压、低功耗、宽温适配,为设备提供稳定功率控制,同时减少能耗、延长电池寿命。
高耐压强驱动:VDS 耐压达 30V,VGS 驱动电压范围为 ±20V,VGS (th) 典型值 1.8V,在高电压环境下,依然可以实现可靠的驱动控制
低阻高效运行:RDS (ON)在10V时最大6mΩ、4.5V时最大7.5mΩ,有效降低导通损耗,提升功率转换效率。配合 15.4A的持续电流能力,能够高效传输功率,减少发热
宽温适配:工作温度范围为 - 55℃~150℃,可适应极寒到高温等多种复杂环境,保障设备在不同温度条件下稳定工作

图5 艾为充电功率MOSFET芯片
艾为矩阵型呼吸灯驱动
Nothing Phone (3a) 其背部Glyph灯条,采用艾为矩阵型呼吸灯驱动芯片,覆盖3~216通道,可呈现超过1600万种色彩变化和呼吸,凭借高精度控制、智能保护机制与灵活配置功能,带来丰富且稳定的灯效体验。
高精度控制:支持 256 级独立电流混色、256 级 PWM 电流调光和 256 级全局电流调节,配合 ±5% 的高精度,呈现出绚丽色彩,实现细腻平滑的亮度过渡,解决传统 LED 驱动色彩单调、亮度不均的问题
智能保护机制:内置 LED 通道开路、短路检测功能,可实时监测每个 LED 通道状态并反馈异常;自动省电模式与过温保护功能,降低能耗的同时,延长设备使用寿命,解决使用过程中的安全与稳定性问题
灵活配置功能:PWM 频率支持灵活切换,并具备 PWM 移相、扩频功能,可根据不同应用场景需求,定制多样化的灯光动态效果

图6 艾为高性能36通道矩阵型呼吸灯驱动典型应用图
艾为Cellular LNA
Nothing Phone (3a) 系列搭载的艾为蜂窝通信低噪声放大器芯片,专为接收机应用设计,凭借其内置的旁路功能,在优化通信性能的同时带来了更清晰稳定的通信体验,并成功实现了高成本效益的解决方案。
高性能表现:拥有 0.8dB 的超低噪声系数,搭配 18dB 的高功率增益,在增益模式下 IIP3inb达+0.5dBm,输入1dB压缩点为-8dBm
低功耗与便捷性:旁路模式下插入损耗仅6.5dB,电流消耗低于 1μA;增益模式电流为 14mA,显著降低能耗,延长设备续航。同时,输入和输出 DC 解耦,仅需一个输入匹配电感且输出集成匹配,极大简化电路设计
可靠防护设计:具备 2kV HBM 静电放电保护能力,有效抵御静电冲击,解决设备在静电环境下易受损的问题,为设备长期稳定运行提供可靠保障

图7 艾为蜂窝通信低噪声放大器系列典型应用图
艾为WCN LNA
Nothing Phone (3a) 系列选用艾为 GNSS 低噪声放大器,适配 GPS、北斗等主流定位系统。借助专利智能线性技术,该放大器在宽电压下实现超低噪声系数、高线性
度和增益,既让手机定位更灵敏、抗干扰更强,降低前级滤波要求与整体成本。
超低噪声性能:具备 0.55dB 的超低噪声系数,相比传统芯片,能更有效过滤信号中的杂波干扰,在复杂信号环境下,也能确保信号纯净度,实现清晰稳定的信号传输
高效功率增益:拥有 18dB 的高功率增益,可显著增强信号强度,提升信号传输距离与覆盖范围,弥补信号在传输过程中的损耗
高线性度表现:IIP3oob 达 0dBm,输入 1dB 压缩点为 - 9.5dBm,展现出出色的线性度,在处理大信号时能保持良好的信号线性输出,避免信号畸变,确保信号处理的准确性和完整性

图8 艾为GNSS LNA系列典型应用图
艾为手机应用方案
在手机产品领域,艾为除了上述产品外,还提供如下框图中所示的多类产品:

图9 艾为智能手机应用框图
(点击图片了解更多方案详情)
数模龙头艾为电子的核心技术,已全面融入 Nothing Phone (3a) 的交互、显示与续航体验之中。未来,艾为将聚焦前沿技术,持续深化芯片创新,以更完善的芯片解决方案,赋能智能手机等多品类终端设备,推动全场景智能生态体验升级。
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