从18A良率失意到牵手马斯克！英特尔拿回了AI时代的入场券

电子发烧友网报道（文/莫婷婷）据产业链多方消息指出， 英特尔正与全球两大云巨头—— 亚马逊（AWS）与谷歌进行磋商，或将利用英特尔自研的EMIB及EMIB-T先进封装技术，为其自研 AI芯片提供大规模代工服务。与此同时，马斯克与英特尔合作的消息也一同传来。

 

可以看到，在AI大模型训练对带宽与功耗提出极致要求，封装技术已经成为决定算力上限的“命门”。英特尔凭借其独特的EMIB技术与IDM 2.0战略，正试图进入高端AI封装领域的一家独大局面，重塑全球 半导体版图。

技术底座：英特尔EMIB与EMIB-T的“异构集成”革命

在摩尔定律逼近物理极限的当下，无法依靠缩小 晶体管尺寸提升性能。英特尔此次赢得巨头青睐的核心筹码，正是其深耕多年的先进封装技术——EMIB（ 嵌入式多芯片互连桥接）及其进阶版EMIB-T。

在台积电CoWoS方案中，通常需要铺设一整块巨大的硅中介层（Silicon Interposer）来连接所有芯粒，成本高昂。而英特尔的EMIB技术采用的是“按需连接”的方式，不需要全幅的硅中介层，而是在有机基板中仅于需要高速互连的芯片下方，嵌入一个微小的高密度硅桥（Silicon Bridge）。英特尔表示，这种方式避免了所有 信号和供电过孔都穿越整层中介层，能够保持I/O平衡和 电源完整性，并提升整体制造效率。

 

EMIB 技术（图源：英特尔）

综合来看，英特尔的EMIB封装技术具备成本、良率等优势。数据显示，由于大幅减少了昂贵硅材料的使用面积，EMIB的整体成本比CoWoS方案低30%以上。另一方面，由于没有大面积的中介层意味着缺陷密度更低，量产良率更易控制。同时，它支持不同制程节点的芯粒混搭，例如将10nm的计算核心与28nm的I/O单元集成，非常适合异构计算的AI芯片设计。

为了应对生成式AI对带宽和密度的指数级需求，英特尔推出了迭代版本EMIB-T（T代表Tall或Throughput）以及EMIB-M。据英特尔向媒体透露，EMIB-T技术可以显著提升芯片互连能效，并大幅压缩封装体积。EMIB-T增加了硅通孔（TSV），能够实现垂直电源传输，并降低直流和交流噪声带来的信号串扰。EMIB-M则在硅桥中集成了金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器，能够增强供电能力。

目前英特尔的EMIB技术已实现大规模量产。此外，关键的产能布局已经就位，位于美国新墨西哥州里奥兰乔（Rio Rancho）的工厂已具备了EMIB-T技术规模化商业交付的能力。

与此同时，英特尔正将EMIB与Foveros 3D堆叠技术深度整合，构建起一套极具竞争力的组合拳。目前，Foveros技术已迭代至第五代，其中Foveros Direct实现了9微米的互连间距，互连密度突破1.2万/平方毫米，能耗更是低至0.05皮焦/比特以下。按照技术路线图规划，英特尔计划在2027至2028年间将间距进一步压缩至3微米，届时互连密度将跃升至约11万/平方毫米。此外，配合流体自对准贴装技术，其产能有望实现10倍的跨越式增长。

英特尔在业绩电话会议中指出，AI时代正以前所未有的规模重塑半导体需求版图：从承载AI加速与传统计算的数据 中心，延伸至网络基础设施与企业级应用，最终渗透至客户端与边缘设备。面对AI工作负载在多元化场景中的快速落地，行业亟需构建异构硅基解决方案，通过集成 GPU、 ASIC以及NPU等多种计算单元，实现算力的精准适配。

技术博弈：AI先进封装的“算力军备竞赛”

英特尔获得谷歌和亚马逊的AI 芯片封装订单，不仅标志着其代工业务在商业拓展上的重大突破，更深刻验证了英特尔在晶圆代工领域仍掌握着不可替代的技术竞争优势。众所周知，英特尔经历了“内忧外患”的一年：

在内部，2025年全年营收为529亿美元，与2021年790亿美元的历史高点相比，有较大的差距；其代工业务也处于亏损状态。尽管英特尔最先进工艺节点 18A 已正式出货，但良率提升速度未达预期，在缺陷密度和一致性上仍有不足。

在外部，消费级芯片市场面临来自 AMD等厂商的激烈竞争，导致其市场份额不断下降。在先进制程的竞争中，英特尔一度落后于台积电和 三星。为了夺回技术领先地位，英特尔必须投入巨额资金研发新工艺，AI先进封装正是其押注的新机会。

英特尔的AI封装技术找到了用武之地，而亚马逊和谷歌也正处于自研芯片的关键时刻。与此同时，一则关于马斯克“超级工厂”的消息，更是为这场算力战争增添了新的变数。

当下，云厂商不再满足于仅仅购买现成的GPU，它们正在通过自研芯片来掌握算力的定价权和控制权。

就在2025年，AWS宣布 UltraServe rs正式上线，该产品搭载多达144颗其自主研发的Trainium 3芯片。Trainium 3是亚马逊首款采用3nm制程工艺的芯片，其计算性能比上一代相比提升4.4倍，能效与内存带宽也有4倍的增长，精准聚焦于AI算力领域的性价比竞争赛道。

谷歌方面，在GTC 2026上公司宣布推出的自研TPU v6 “Trillium”芯片已大规模部署于Cloud TPU Pod，该芯片采用三星7nm工艺。此外，谷歌已经成为1GW电力需求响应里程碑，成为全球首家整合该容量的云服务商。

就在业内传出英特尔与亚马逊、谷歌洽谈的同时 ，4月7日传出重磅消息：英特尔将加入马斯克的超级AI芯片工厂—— Terafab综合体项目，将实现每年高达1太瓦的算力。英特尔的加入，意味着其先进封装产能将直接服务于这个由马斯克主导的“算力联盟”。

根据公开的资料，在Terafab项目中，英特尔的角色将从单纯的代工方转变为全链路技术合作伙伴，其技术注入覆盖了从底层工艺到顶层封装的多个环节，包括18A制程、3D/EMIB先进封装技术，以及PowerVia背面供电等。

英特尔预期从2026年下半年至2027年上半年，客户将陆续做出明确的供应商选择。在先进封装领域，尤其是在嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）及其增强版（EMIB-T）技术上，公司具备显著的差异化竞争优势。英特尔CEO陈立武（Lip-Bu Tan）在第一财季业绩电话会上表示，我们正提升EMIB与EMIB-T技术的质量与良率，以支持客户在2026年下半年开始的爬坡需求。

小结：

AI芯片的算力竞赛，正成为英特尔在代工领域突围的关键契机。英特尔凭借其独特的EMIB技术与IDM 2.0战略，正试图进入高端AI封装领域的一家独大局面，重塑全球半导体版图。作为曾经的行业霸主，英特尔能否凭借技术差异化优势重返巅峰、重塑全球半导体格局，并在AI封装的激烈角逐中抢占战略制高点，已成为业界关注的焦点。